新书推荐 | 数字电子技术（第2台湾版）

第4章混搭直觉晶体管

4.1混搭直觉晶体管的分析方法与新设计原理则

4.1.1混搭直觉晶体管的分析方法原理则

4.1.2混搭直觉晶体管的新设计原理则

4.2常以的定制混搭直觉晶体管及其应用的的发展

4.2.1编小数点缓冲器

4.2.2译小数点缓冲器

4.2.3信息分配缓冲器

4.2.4信息控件

4.2.5数值比较缓冲器

4.2.6加法则缓冲器

4.3混搭直觉晶体管里的竞争性旅程

4.3.1诱发竞争性旅程的理由

4.3.2健康检查竞争性旅程的原理则

4.3.3消除竞争性旅程的原理则

本章小结

习题

第5章TTL

5.1TTL的特色

5.2RSTTL

5.2.1整体RSTTL

5.2.2联动RSTTL

5.2.3仅仅只是RSTTL

5.2.4定制RSTTL

5.3JKTTL

5.3.1仅仅只是JKTTL

5.3.2交接处JKTTL

5.4其他功能TTL

5.4.1DTTL

5.4.2TTTL和T′TTL

5.5TTL功能的反转

本章小结

习题

第6章动态直觉晶体管

6.1动态直觉晶体管的特色与分析方法原理则

6.1.1动态直觉晶体管的特色

6.1.2动态直觉晶体管的一般分析方法原理则

6.2可用分析方法

6.2.1异步可用

6.2.2联动可用

6.3可用新设计

6.3.1用TTL新设计联动可用

6.3.2用里规模定制可用新设计N自然数可用

6.4信息缓存和反向缓存

6.4.1信息缓存

6.4.2反向缓存

6.4.3反向缓存HG可用

本章小结

习题

第7章延时诱发与整形晶体管

7.1简要

7.2555启动时

7.2.1555启动时的晶体管组成

7.2.2555启动时的文前言工作观点

7.3费舍尔TTL

7.3.1用555启动时接成费舍尔TTL

7.3.2其他范例的费舍尔TTL

7.3.3费舍尔TTL的应用的的发展

7.4单稳态TTL

7.4.1用555启动时接成单稳态TTL

7.4.2其他范例的单稳态TTL

7.4.3单稳态TTL的应用的的发展

7.5多谐谐波

7.5.1用555启动时接成多谐谐波

7.5.2其他范例的多谐谐波

本章小结

习题

第8章闪存和新应用直觉高压的电子元件

8.1简要

8.2只读闪存

8.2.1掩模只读闪存

8.2.2新应用只读闪存(PROM)

8.2.3可擦除新应用只读闪存(EPROM)

8.2.4高压电擦除新应用只读闪存(EEPROM)

8.2.5只读闪存应用的的发展值得注意

8.3随机闪存

8.3.1动态随机闪存的内部结构

8.3.2动态RAM数据流晶体管

8.4闪存的扩张与联接

8.4.1存储芯片的扩张

8.4.2闪存与微HG高压的电子计数机子系统的联接

8.5新应用直觉高压的电子元件

8.5.1新应用直觉高压的电子元件的整体内部结构

8.5.2新应用直觉高压的电子元件的晶体管指出

8.5.3新应用一组直觉(PAL)

8.5.4PAL应用的的发展值得注意

本章小结

习题

第9章模拟缓冲器量和大写字母量的反转晶体管

9.1简要

9.2D/A高压的电子式

9.2.1权高压电阻器互联网D/A高压的电子式

9.2.2THG高压电阻器互联网D/A高压的电子式

9.2.3D/A高压的电子式的主要应用指标

9.2.4定制D/A高压的电子式

9.3A/D高压的电子式

9.3.1渐次大举进攻HGA/D高压的电子式

9.3.2双平方根HGA/D高压的电子式

9.3.3A/D高压的电子式的主要应用指标

9.3.4定制A/D高压的电子式

本章小结

习题

第10章VHDL应用程序描绘自然语言

10.1简要

10.1.1VHDL的的发展

10.1.2VHDL的特色

10.2VHDL机制整体内部结构

10.2.1实体

10.2.2内部结构体

10.2.3机制包

10.2.4配置

10.2.5库

10.3VHDL自然语言的模板和运算子

10.3.1信息都可

10.3.2模板

10.3.3VHDL自然语言的运算子

10.4VHDL的描绘关键字

10.4.1VHDL的顺序关键字

10.4.2VHDL的并行关键字

10.5VHDL自然语言里大写字母量的表征

10.5.1数值类表征受益

10.5.2数组类表征受益

10.5.3正弦类表征受益

10.5.4模板类表征受益

10.5.5信息范围内类表征受益

10.6VHDL自然语言新设计直觉晶体管值得注意

10.6.1混搭直觉晶体管

10.6.2动态直觉晶体管

10.7VHDL自然语言动态

10.7.1动态次测试平台文件

10.7.2动态值得注意

本章小结

习题

部份习题简要答案

简要文献

平面善本特色

（1）合理化整体观点论说，同时严谨实践应用的的发展。在对于晶体管的定性分析方法和基本原理计数时，都都有整体概念出发，避免了偏重的关系式推导。

（2）加强定制晶体管专业知识，对定制晶体管的谈论强化“外部”淡化“内部”，使教科前言素材更符合大写字母纳米应用的发展的趋势。

（3）揭示了大写字母纳米应用的工程施工性特色，既严谨观点、分析方法原理则等，也兼顾实际应用的的发展。

序言/序言

对于教育机构方面专业专业知识的同学来说，“大写字母纳米应用”是一门内关键的专业专业知识典范课。本高中课程涉及的素材对同学后续高中课程的学习，以及兼职方面专业专业知识文前言工作，都是不可或缺的。

从素材上看，大写字母纳米应用作为纳米应用的关键组成部份，主要谈论的都可是大写字母直觉晶体管与延时晶体管，采用的主要分析方法新设计方法是直觉拓扑。从思维过程来看，大写字母纳米应用主要参阅晶体管里直觉多方面的思维。因此，本教科前言在大写字母高压的电子晶体管的分析方法与新设计里，主要篇幅放在直觉多方面专业知识的参阅上，使同学物理学会运用直觉拓扑这一须要方法，对直觉晶体管进行分析方法与新设计。之所以这样处理过程，也是因为观点上理工科同学（除航空航天专业专业知识外）主要应用的的发展的是直觉多方面的专业知识，这样处理过程符合观点上大写字母直觉晶体管主要应用的的发展情形。

本次修正主要由贞、徐安静完成。主要修正之处有以下几部份：

（1）将第1国际版的8章素材扩张成10章素材。

（2）将第1国际版的第1章分开第1章和第2章两章素材。第1章主要参阅数制与小数点制，第2章主要参阅直觉拓扑典范。

（3）第2、3、6、8章分别减小了部份习题和例题。第6章部份例题减小了动态正弦分析方法。

（4）减小了第10章VHDL应用程序描绘自然语言。考虑到观点上插件与应用程序紧密结合得越来越融洽，采用插件新设计应用程序已经成为必要手段，因此，本前言修正时减小了一章，谈论VHDL整体内部结构、语法则典范、模板与运算、大写字母直觉晶体管的VHDL做到原理则，并详细参阅应用程序描绘晶体管的动态原理则。

（5）修改了前言里的部份错误与不当之处。

方面平面善本

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